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氧化鋅壓敏電阻的缺陷:
ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo,負一價和負二價的
VZn ,正一價的DZn
。VZn主要在晶界處
,VZn為受主態(tài),使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢壘
,約0.7eV
。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài),是老化產(chǎn)生的根源所在
。DZn可降低晶粒體的電阻,提高通流容量
。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少,主要存在于晶界中
。高溫時原子運動加劇
,在晶界中形成大量的VZn和Vo,但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失
。

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非線性區(qū)域:
中電場區(qū)為非線性區(qū)域,也是壓敏電阻器應用中重要的區(qū)域,導電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應J = J0exp(-λ/E),λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度 ,算出的a值低于50。

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