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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：
當(dāng)施加交流電壓一定時(shí)間后，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線發(fā)生對(duì)稱變化，除了特性曲線的變化是對(duì)稱的特點(diǎn)外
，改變的趨勢(shì)與施加直流電壓的趨勢(shì)相近
。試驗(yàn)時(shí)所施加的交流電壓梯度為65V/mm
，溫度為70℃。試驗(yàn)還表明
，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗(yàn)后
壓敏電阻U-I 特性在預(yù)擊穿區(qū)（即低電場(chǎng)區(qū)域）的變化程度要比擊穿區(qū)即（中電場(chǎng)區(qū)域）大得多
。
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靜態(tài)電容量（PF）
靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。
響應(yīng)時(shí)間τ
IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測(cè)試波形
、引線、印制電路版的布線方式
、外部測(cè)試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的
，根據(jù)這一定義
，對(duì)8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波
，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0
。
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ＺｎＯ 壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是 ＺｎＯ
、尖晶石、焦綠石和一些富?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。拢椤∠啵▓D?div id="jfovm50" class="index-wrap">。常?div id="jfovm50" class="index-wrap">。圖 中也指明了組分存在的部位
，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測(cè)出來的其它次要相。
ＺｎＯ 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之間
， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長
，而 ＴｉＯ２ 和?div id="m50uktp" class="box-center"> 。拢幔稀t加速晶粒長大
。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長大有 抑制作用
。焦綠石相在低溫時(shí)起作用
，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)
，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的?div id="m50uktp" class="box-center"> 。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。冢睿稀∈蔷哂芯€性 Ｉ－Ｕ 特性的非化學(xué)計(jì)量?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">。睢⌒桶雽?dǎo) 體
。進(jìn)入 ＺｎＯ 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３
。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷
，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)
。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇
、Ｖ Ｚｎ＇＇）
、氧空位（Ｖ ｏ
、Ｖ ｏ ）、填隙鋅
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