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通流容量:
通流容量是指施加規(guī)定波形的沖擊電流和沖擊次數(shù),沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規(guī)定值時(shí)所能通過的電流
。它和脈沖幅度,脈沖持續(xù)時(shí)間及應(yīng)用中所要承受的脈沖次數(shù)有關(guān),可從降額曲線中查得
。測量時(shí)一般施加8*20μs或2ms的方波。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發(fā)團(tuán)隊(duì),廠家直銷!
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ZnO 壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn) ,形成的四個(gè)主要 成分是?div id="m50uktp" class="box-center"> 。冢睿稀⒓饩?div id="m50uktp" class="box-center"> 、焦綠石和一些富?div id="m50uktp" class="box-center"> 。拢椤∠啵▓D?div id="m50uktp" class="box-center"> 。常?div id="m50uktp" class="box-center"> 。圖 中也指明了組分存在的部位,還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測出來的其它次要相
。
ZnO 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在15和20μm 之間
, 并且也總是伴有雙晶
。SiO2的存在抑制晶粒生長
,而?div id="m50uktp" class="box-center"> 。裕椋希病?和?div id="d48novz" class="flower left">
。拢幔稀t加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用
。焦綠石相在低溫時(shí)起作用,而尖晶石相在高溫 時(shí)有利
。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí),中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的?div id="4qifd00" class="flower right">
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。睢⌒桶雽?dǎo) 體。進(jìn)入 ZnO 中的各種添加物使其具有非線性
。這些氧 化物中主要是 Bi 2O3。這些氧化物的引入
,在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷
,施主或類施主缺陷支配著耗盡層, 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)
。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位(V Zn'、V Zn'')
、氧空位(V o 、V o )
、填隙鋅

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壓敏電阻連續(xù)工作電壓壽命,即壓敏電阻在規(guī)定環(huán)境和系統(tǒng)電壓條件下應(yīng)能可靠地工作規(guī)定的時(shí)間(h)。由于壓敏電阻總是承受著穩(wěn)態(tài)工作電壓應(yīng)力的作用,壓敏電阻的壽命是與漏電流密切相關(guān)的。在不發(fā)生機(jī)械或其他電氣性能失效的情況下,壓敏電阻的壽命主要由漏電流IR(密度JR)及其溫度、電壓和時(shí)間的上升情況所決定。隨著漏電流IR(密度JR)升高,發(fā)熱量增大,若這個(gè)能量不能散失,元件的溫度會很快上升,這種元件在維持一段初始穩(wěn)定狀態(tài)后,終將達(dá)到熱失控(擊穿)的溫度而結(jié)束其使用壽命。

由于壓敏電阻型號太多,篇幅有限,恕不一一呈現(xiàn),欲知詳請,歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系,謝謝!
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