，Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大?div id="jpandex" class="focus-wrap mb20 cf">？偟慕Y(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移。
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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ 的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層
。晶粒間存在耗盡層提高了
壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在
，使得
ＺｎＯ 壓敏電 阻對極性變化不敏感。在這一方面
，
壓敏電阻像一個(gè)背對 背的二極管。進(jìn)一步說
，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡
，當(dāng)施加外電壓時(shí)
，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢壘電勢
，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）
。
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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體
，對大電流特性有決定性作用
。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計(jì)量比和施主摻雜
，有大量的導(dǎo)電電子存在
，為n型半導(dǎo)體
。富鉍相
，約在750℃形成12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來
，生成含
Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn ，隨著溫度的升高
，Cr逐步移到尖晶石相中。
Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用 ，高溫冷卻時(shí)
，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時(shí)形成
，850℃時(shí)達(dá)到峰值
，約950℃時(shí)消失
，
反應(yīng)式如下
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3
由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
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