。
殘壓比KR的定義公式為:
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力,在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用,在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標準電性能參數(shù)。

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電容量C0
壓敏電阻在導(dǎo)通前的電阻值很大,可視為電介質(zhì)材料,兩個電極之間存在著pF級的電容在工頻下,如此之小的電容對被保護電路的正常工作幾乎沒有任何影響,但在高頻或數(shù)字線路中,如不考慮壓敏電阻的電容量
,有時會造成信號失真或產(chǎn)生諧振
。因此生產(chǎn)廠家應(yīng)向用戶提供壓敏電阻的電容量參考數(shù)據(jù)(一般以峰值或典型值的方式)
,以便用戶設(shè)計電路時參考。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)
壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻
、
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壓敏電阻的物理特性:
ZnO 壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象,即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子(電子)的勢壘。認 為肖特基勢壘像 ZnO 微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢壘
。晶粒邊界 上的負表面電荷(電子捕獲)是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來補償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機制
。 近發(fā)展的
壓敏電阻勢壘的晶粒邊界缺陷模型在改進 穩(wěn)電壓應(yīng)力下,
壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進展
。

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