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ZnO壓敏電阻器的限壓原理:
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS為浪涌電壓,Zsourc為浪涌電壓源的阻抗,如傳輸線的電阻或線圈的電感等,ZSIOV
為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估,因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低頻時(shí)大得多。
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壓敏電阻器在電路的過(guò)電壓防護(hù)中,如果正常工作在預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū),理論上是不會(huì)損壞的。但由于壓敏電阻器要長(zhǎng)期承受電源電壓,電路中暫態(tài)過(guò)電壓、超能量過(guò)電壓隨機(jī)的不斷沖擊及吸收電路儲(chǔ)能元件釋放能量,因此,壓敏電阻器也是會(huì)損壞的它的壽命根據(jù)所在電路經(jīng)受的過(guò)電壓幅值和能量的不同而不同。
源林電子的壓敏電阻,工藝先進(jìn),質(zhì)量可靠,量大價(jià)從優(yōu) 壓敏電阻采購(gòu) 殘壓比KR 通過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí) 殘壓比KR的定義公式為: KR =UR/UN 殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過(guò)電壓的能力 源林電子壓敏電阻選型電話就在圖片中,歡迎來(lái)電!
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