防浪涌電阻,TVR防浪涌電阻,過壓保護(hù)|防雷(多圖)：
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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ 的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個耗盡層的存在，使得 ＺｎＯ 壓敏電 阻對極性變化不敏感。在這一方面
，
壓敏電阻像一個背對 背的二極管
。進(jìn)一步說
，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡
，當(dāng)施加外電壓時
，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降
。 這被稱作勢壘電勢
，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）
。
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)
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通流量（峰值電流）Im
通流容量(kA)也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時間間隔和次數(shù)
，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的脈沖（峰值）電流值
。目前大多數(shù)廠家在說明書中通常給出兩個通流量指標(biāo)，一個是沖擊一次的指標(biāo)
，另一個是沖擊兩次（間隔5分鐘）的指標(biāo)
。
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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV) ，其中VS為浪涌電壓
，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗
，如傳輸線的電阻或線圈的電感等
，ZSIOV
為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估
，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分
，其阻抗比低頻時大得多
。
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