。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時(shí)流過(guò)元件的電流即為漏電流？梢酝ㄟ^(guò)配方的調(diào)整及制造工藝的改善來(lái)減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來(lái)源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大，低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2，過(guò)量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大。測(cè)試元件的非線(xiàn)性時(shí)，我們希望漏電流以通過(guò)晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線(xiàn)性并沒(méi)有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線(xiàn)性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

由于壓敏電阻型號(hào)太多

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氧化鋅壓敏電阻在交流電壓作用下的老化：

當(dāng)施加交流電壓一定時(shí)間后

，氧化鋅壓敏電阻的U-I特性曲線(xiàn)發(fā)生對(duì)稱(chēng)變化，除了特性曲線(xiàn)的變化是對(duì)稱(chēng)的特點(diǎn)外，改變的趨勢(shì)與施加直流電壓的趨勢(shì)相近。試驗(yàn)時(shí)所施加的交流電壓梯度為65V/mm，溫度為70℃。試驗(yàn)還表明，不論是直流還是交流作用電壓，老化試驗(yàn)后壓敏電阻U-I 特性在預(yù)擊穿區(qū)（即低電場(chǎng)區(qū)域）的變化程度要比擊穿區(qū)即（中電場(chǎng)區(qū)域）大得多