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氧化鋅壓敏電阻器的參數(shù)選擇
根據(jù)被保護電源電壓選擇壓敏電阻器的規(guī)定電流下的電壓V1mA 。一般選擇原則為:
對于直流回路:V1mA≥2.0VDC
對于交流回路:V1mA≥2.2V有效值
如果電器設備耐壓水平Vo較低,而浪涌能量又比較大 ,則可選擇壓敏電壓V1mA較低
、片徑較大的
壓敏電阻器;如果Vo較高
,則可選擇壓敏電壓V1mA較高的
壓敏電阻器 ,這樣既可以保護電器設備,又能延長
壓敏電阻使用壽命
。

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當過電壓幅值高于規(guī)定電流下的電壓,過電流幅值小于壓敏電阻器的頂峰值電流時(若無壓敏電阻器足以使設備元器件破壞),壓敏電阻器處于擊穿區(qū),壓敏電阻器將過電壓限制在較低的水平上(小于設備的耐壓水平),同時通過壓敏電阻器的沖擊電流很大,使壓敏電阻器性能劣化即將失效,這時通過熔斷器的電流很大,熔斷器斷開,這樣既可使電器設備、元器件免受過電壓沖擊,也可避免由于壓敏電阻器的劣化擊穿造成線路L-N、L-PE之間短路

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發(fā)團隊,廠家直銷!
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壓敏電阻交流作用下的老化機理
交流作用下。在正半周時,假設右側(cè)為正極性,電壓主要加在右側(cè)的耗盡層上,使右側(cè)的Zni向晶界遷移,而左側(cè)所加電壓很低,Zn
i向晶粒內(nèi)遷移不大;在負半周,電壓主要加在左側(cè),使左側(cè)Zni向晶界遷移,右側(cè)這時所加電壓很低,Zni向晶粒體內(nèi)遷移不大
。總的結(jié)果是左右兩側(cè)的Zni都向晶界遷移
。

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