，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu)，開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中

，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一

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當(dāng)過電壓幅值高于規(guī)定電流下的電壓

，過電流幅值小于壓敏電阻器的頂峰值電流時(shí)(若無壓敏電阻器足以使設(shè)備元器件破壞)，壓敏電阻器處于擊穿區(qū)，壓敏電阻器將過電壓限制在較低的水平上(小于設(shè)備的耐壓水平)，同時(shí)通過壓敏電阻器的沖擊電流很大，使壓敏電阻器性能劣化即將失效，這時(shí)通過熔斷器的電流很大，熔斷器斷開