。然而,目前檢測(cè)方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I
leakage兩個(gè)參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會(huì)出現(xiàn)顯著變化;而在這個(gè)拐點(diǎn)之前U1mA和
Ileakage都符合SJ/T10349-93測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測(cè)結(jié)果帶來(lái)不確定性。某個(gè)產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時(shí)更換,但U1mA和Ileakage檢測(cè)值仍然合格。

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壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時(shí),位于非線性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線的的拐點(diǎn)上,該電壓確定為元件的啟動(dòng)電壓
,也稱為壓敏電壓
,是由阻性電流測(cè)試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯
,多數(shù)情況下是在通1mA電流時(shí)測(cè)量的
,用U1mA來(lái)表示。對(duì)于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片
,可通過(guò)調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來(lái)改變其壓敏電壓
。亦有使用10mA電流測(cè)定的電壓作為壓敏電壓者,以及使用標(biāo)稱電流測(cè)試者
,標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2
,電流密度測(cè)定的電場(chǎng)強(qiáng)度E0.5表示,對(duì)于大多數(shù)壓敏電阻器而言
,這個(gè)值更接近非線性的起始點(diǎn)
。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過(guò)的電流,稱為漏電流IL
。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn):元件的容性電流
,元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端
,此時(shí)流過(guò)元件的電流即為漏電流
。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理,漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響
。當(dāng)環(huán)境溫度較高時(shí)
,漏電流較大;反之
,漏電流較小
。可以通過(guò)配方的調(diào)整及制造工藝的改善來(lái)減小壓敏電阻器的漏電流
。研究低壓元件的漏電流來(lái)源是很重要的
,為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大,低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2
,過(guò)量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]~[9]
,在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象,例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大
。測(cè)試元件的非線性時(shí)
,我們希望漏電流以通過(guò)晶界的電流為主
。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象,初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4~20μA內(nèi)
,放置8~24h后
,元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒(méi)有被破壞
,但卻表現(xiàn)出非線性低
,壓敏電壓也稍有降低的表象。

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