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通流量（峰值電流）Im
通流容量(kA)也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時間間隔和次數，施加標準的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的脈沖（峰值）電流值。目前大多數廠家在說明書中通常給出兩個通流量指標，一個是沖擊一次的指標，另一個是沖擊兩次（間隔5分鐘）的指標。
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ZnO是六方晶系纖鋅礦結構 ，其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài)
，氧離子以六方密堆
，鋅離子占據一半的四面體空隙
，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結構
，開放的結構對缺陷的性質及擴散機制有影響
，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負離子的配位數均為4
，所以容易引入外部雜質
，ZnO熔點為2248，密度為5.6g/cm3
，純凈的ZnO晶體
，其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV
，因此
，室溫下，滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體
，而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子
，所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。
Eda等認為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴散快，對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
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ＺｎＯ 壓敏電阻的微觀結構分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個主要 成分是?div id="4qifd00" class="flower right">
。冢睿稀⒓饩?div id="4qifd00" class="flower right">
、焦綠石和一些富?div id="4qifd00" class="flower right">
。拢椤∠啵▓D ３）
。圖 中也指明了組分存在的部位
，還存在一些用現(xiàn)有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。
ＺｎＯ 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之間， 并且也總是伴有雙晶
。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長
，而 ＴｉＯ２ 和?div id="jfovm50" class="index-wrap">。拢幔稀t加速晶粒長大
。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用
，而尖晶石相在高溫 時有利
。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網絡
。 燒結形成的?div id="jfovm50" class="index-wrap">。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲嫵蓡渭儭
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。桑铡√匦缘姆腔瘜W計量 ｎ 型半導 體
。進入 ＺｎＯ 中的各種添加物使其具有非線性
。這些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入
，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷
，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)
。相關的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇
、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ
、Ｖ ｏ ）
、填隙鋅
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